Samsung ha comenzado la producción de prueba del proceso de 3 nm de segunda generación, conocida como SF3

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El gigante tecnológico Samsung ha comenzado la producción de prueba de chips en su tecnología de proceso de clase 3 nm de segunda generación, conocida como SF3. Este desarrollo marca un hito importante en la industria de los semiconductores, ya que Samsung compite con TSMC por la supremacía en la próxima producción en masa de nodos de procesos avanzados. Según Chosun Ilbo, un medio de noticias popular y autorizado en Corea del Sur, Samsung ahora está produciendo el chip de proceso de 3 nm de segunda generación, SF3, en prueba. El informe afirma que Samsung espera alcanzar tasas de rendimiento superiores al 60% en los próximos seis meses.

Digitimes también  informó que Samsung está probando el rendimiento y la confiabilidad de los chips fabricados en el nodo SF3. Este es el primer chip que utiliza el proceso SF3 de Samsung y se espera que sea un procesador de aplicaciones diseñado para dispositivos portátiles. Lo más probable es que la compañía lance este chip justo a tiempo para el Samsung Galaxy Watch 7 y otros dispositivos.

El proceso SF3 es una tecnología de clase de 3 nm que se basa en el proceso de 3 nm de primera generación de Samsung. Se espera que este nuevo proceso lidere la era de la IA, ya que permitirá la producción de chips más eficientes y potentes. La producción de prueba de chips SF3 es un paso crucial hacia la plena rampa del nodo SF3. Después de la producción de prueba, la empresa comenzará la producción a gran escala probablemente a finales de este año. Chosun Ilbo dice que espera que Samsung también utilice este nodo para el chip Exynos 2500. El Exynos 2500 probablemente se lanzará con la serie Samsung Galaxy S25 del próximo año.

Samsung ha declarado anteriormente que planea iniciar la producción en masa a gran escala de chips SF3 en la segunda mitad de este año. La compañía se centrará este año en la producción de su chip SF3 (3GAP) de 3 nm y su mejor versión SF3P (3GAP+). En cuanto al nodo de 2 nm, Samsung ha confirmado que implementará sus planes en dos años. Según Samsung, el nodo SF3 puede habilitar diferentes anchos de canal de nanohojas de transistores GAA (gate-all-around) dentro de la misma celda, lo que proporciona una mayor flexibilidad de diseño. Esto también puede generar un menor consumo de energía y un mayor rendimiento del chip, y aumentar la densidad del transistor mediante un diseño optimizado.

Se espera que el proceso SF3 tenga un impacto significativo en la industria de los semiconductores. Permitirá la producción de chips más eficientes y potentes. Esto conducirá a avances en varios sectores, incluidos la inteligencia artificial, la IoT y la automoción. Este chip también tiene el potencial de revolucionar el rendimiento y el consumo de energía de los semiconductores.

¿Qué opinas de la inversión que esta realizando Samsung en el desarrollo del proceso SF3? Crees que si demuestra el compromiso de la empresa con la innovación y su ambición de liderar  la industria de los semiconductores?

 

Angelo Duque