El Kirin 8030 se fabrica con el nodo N+2 de SMIC, una tecnología FinFET de 7 nm. Aunque este proceso está bastante rezagado frente a las últimas propuestas de los principales fabricantes, es clave entender que tanto SMIC como Huawei están reconstruyendo de forma prácticamente independiente partes importantes de la cadena de suministro de semiconductores. Este avance muestra la apuesta por mantener un ecosistema propio y consolidar la fabricación local pese a las restricciones actuales.
Kirin 8030: mejoras en rendimiento y configuración de núcleos
Huawei ha conseguido notables mejoras en las velocidades del reloj del Kirin 8030, que cuenta con una configuración de núcleos propia bajo la arquitectura Taishan. Dispone de un núcleo supergrande que funciona entre 2,8 y 3,0 GHz, tres núcleos medianos a 2,4-2,6 GHz y cuatro núcleos pequeños a entre 1,8 y 2,0 GHz. Esto supone un salto claro frente al Kirin 8020, que tenía un núcleo supergrande a 2,28 GHz, tres núcleos medianos a 2,05 GHz y cuatro pequeños a solamente 1,3 GHz. Estos incrementos en frecuencias mejoran tanto el rendimiento bruto como la versatilidad energética.
Los benchmarks de rendimiento indican que el Kirin 8030 logra resultados en un solo núcleo comparables al Snapdragon 888, superando a este en cargas multinúcleo. Conviene recordar que el Snapdragon 888, fabricado mediante un proceso de 5 nm en Samsung, ha sido criticado más por su eficiencia energética que por la potencia bruta. En cuanto a la GPU, se espera que el Kirin 8030 integre la Maleoon, diseñada para ofrecer tasas de 100 a 120 fps en determinados títulos de juego aún no especificados.
La base del nuevo chipset es una arquitectura que integra el módem 5G Barong 5G propio de Huawei, compatible tanto con bandas sub-6 GHz como mmWave. Además, incorpora la NPU Leonardo da Vinci, orientada a ofrecer un rendimiento de inteligencia artificial que se acerca al Snapdragon 8 Gen 2, mejorando sustancialmente lo visto en el 888. Este conjunto sitúa al Kirin 8030 como un producto notable en cuanto a conectividad y tareas AI.
SMIC también ha informado haber iniciado la producción en volumen en su nodo N+3, un proceso de la clase 5 nm, sin usar litografía EUV. En comparación, Samsung y TSMC comenzaron a pasar de la litografía ultravioleta profunda (DUV) a la extrema (EUV) en nodos de 7 nm entre finales de 2018 y principios de 2019, gracias al acceso a los equipos EUV de ASML. El futuro Kirin 9030, la gama alta que sigue en la hoja de ruta, se fabricará en el nodo N+3 de SMIC, lo que supone otro paso adelante para esta fundición en plena expansión técnica.
- Honor X80 revolucionará la gama económica con batería enorme y rendimiento destacado - 4 febrero, 2026
- Kirin 8030 filtrado: Nuevo chipset gama media con velocidades de reloj mejoradas - 4 febrero, 2026
- vivo filtra detalles exclusivos que anticipan una gran expansión de la serie X300e - 4 febrero, 2026
Descubre más desde GizChina.es
Suscríbete y recibe las últimas entradas en tu correo electrónico.