Huawei ha presentado recientemente su primer sistema en chip (SoC) para smartphones basado en tecnología de 5 nm, el Kirin 9030, integrado en la última serie Mate80. Este chip se fabrica mediante el nodo N+3 de Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), un hito destacado en las aspiraciones de Huawei para avanzar en el desarrollo de semiconductores propios. Ahora, la atención se ha desplazado hacia un posible siguiente paso tecnológico: un nodo de proceso de 2 nm que podría marcar un nuevo estándar en eficiencia y rendimiento.
Huawei y la posible transición al nodo de 2 nm
En una patente de Huawei de 2022, recientemente resaltada por el analista de semiconductores Dr. Frederick Chen, se propone un método para utilizar la litografía ultravioleta profunda (DUV) existente para lograr un paso metálico de 21 nm. Este tamaño es comparable al que ofrecen algunas tecnologías de 2 nm en el mercado, como las de TSMC. La técnica aprovecha un proceso llamado autoalineamiento con patrón cuádruple (SAQP) para reducir el número de exposiciones necesarias por un láser DUV a solo cuatro, frente a las habituales mayores cantidades, lo que podría facilitar la producción a esta escala sin requerir litografía ultravioleta extrema (EUV).
No obstante, existen dudas importantes sobre la viabilidad comercial de esta ruta. El principal escollo son los rendimientos de producción, que podrían ser difíciles de optimizar con un proceso basado en DUV para un equivalente de 2 nm. Además, no se espera que el rendimiento ni la facilidad de fabricación puedan competir con las soluciones basadas en litografía EUV empleadas por otros fabricantes punteros. Estos factores ponen en duda si Huawei podrá llevar esta tecnología al mercado de manera competitiva.
Informes anteriores han indicado que China trabaja en sus propias herramientas de litografía EUV junto con intentos de fabricación a 3 nm utilizando semiconductores de nanotubos de carbono. Sin embargo, en los últimos meses, la información sobre estos proyectos ha sido escasa. De llegar a materializarse, es improbable que China divulgue estos avances públicamente debido a la naturaleza estratégica y confidencial de su desarrollo en semiconductores, lo que mantendría en secreto eventuales novedades.
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