Con la llegada de octubre y el esperado lanzamiento del Snapdragon 8 Gen 4, van surgiendo más detalles sobre este chipset. Una reciente filtración, originada de una hoja de especificaciones, ha revelado datos clave sobre el sistema en un chip (SoC). Además, la fuente fiable Ice Universe ha compartido información adicional sobre la unidad de procesamiento gráfico (GPU).
El Snapdragon 8 Gen 4 incorporará la GPU Adreno 830, que actualmente se encuentra en fase de pruebas con una frecuencia de 1,250MHz (1.25GHz). Aunque esta velocidad de reloj puede parecer baja en comparación con la capacidad de 4GHz del CPU Oryon del 8 Gen 4, es importante señalar que las GPUs móviles suelen operar a velocidades inferiores a las de los CPUs. Para ponerlo en perspectiva, la Adreno 750 presente en el Snapdragon 8 Gen 3 funciona a 903MHz en su versión estándar y a 1,000MHz en las versiones mejoradas “for Galaxy”.
Un benchmark de AnTuTu recientemente filtrado para el Snapdragon 8 Gen 4 indica una puntuación de GPU de 1,330, lo que representa un aumento notable respecto a la mejor puntuación del Snapdragon 8 Gen 3, que actualmente se sitúa en 896,416 puntos. No obstante, es necesario adoptar una postura cautelosa ante estos hallazgos. La frecuencia reportada de 1,250MHz se basa en una muestra de ingeniería del Snapdragon 8 Gen 4, y la versión final podría presentar especificaciones de GPU diferentes.
Información adicional de la hoja de especificaciones filtrada confirma que el SoC se fabricará utilizando un proceso de 3nm. También contará con soporte para memoria SDRAM LPDDR5X en paquete dual (PoP) y un procesador de imagen Qualcomm Spectra ISP de la serie 8. En cuanto a conectividad, se incluyen características como 5G, Wi-Fi 7, Bluetooth 5.4 y soporte para ultrabanda ancha (UWB). En lo que respecta a inteligencia artificial y seguridad, el SoC estará equipado con un subsistema de IA de bajo consumo (LPAI) que incluye un DSP dedicado y un acelerador de IA, facilitando operaciones de IA en el dispositivo sin afectar negativamente a la duración de la batería.
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